【安世半导体推出新款600 V单管IGBT】《科创板日报》5日讯，安世半导体今日宣布，推出新款600 V单管IGBT。据介绍，新款600 V单管IGBT采用载流子储存沟槽栅场截止（FS）结构，在最高175℃的工作温度下可提供超低导通和开关损耗性能与高耐用性。