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2024年08月07日 07:02:29
【三星电子8层版本的HBM3E存储芯片通过英伟达测试】财联社8月7日电,知情人士称,三星电子第五代HBM3E存储芯片的8层版本已经通过英伟达的测试。三星电子和英伟达尚未就8层HBM3E存储芯片签署供应协议,但很快就会签署;预计第四季度开始供应。12层版本的HBM3E存储芯片尚未通过英伟达的测试。 (路透)
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